Запчасти и комплектующие ▼Россия ▼
Рубрика объявления: Промышленность и производство в России \ Промышленное оборудование \ Запчасти и комплектующие \ Продам
<< Предыдущее объявление
РВД - рукав (шланг) высокого давления 25МПа (250 атм)
Следующее объявление >>
Колесо рабочее к насосу д, ндн, ндс, сэ, сд, пэ втулки, другие запчасти

Изготовление и рециклинг пластин GaAs и других А3В5 материалов

Пластины GaAs изготовлены по технологии epi-ready с использованием технологии и химических составов корпорации Fujimi (Япония).

ОБЛАСТЬ ПРИМЕНЕНИЯ:

Производство интегральных СВЧ микросхем, светодиодов, ИК излучателей, в том числе полупроводниковых лазеров, спутниковых солнечных батарей и пр.

Характеристики пластин http://nil28.by/nauka/88:

Метод выращивания ...……...………Чохральского (LEC);

Диаметр, мм …………………...…50,8+/-0,3 и 76,2+/-0,3;

Удельное сопротивление, ом*см ………..……...… > 1*107;

Подвижность, cm2/VS …………………..………... ≥ 4500;

Плотность дислокаций, см-2…………………...…. ≤ 1*105;

Тип материала ……………………...…полуизолирующий;

Легирующая примесь…………………...…нелегированные;

Кристаллографическая ориентация …………... по заказу;

Толщина ……………………………………...…...по заказу;

Ориентация срезов ……………………...….….….по заказу;

Обработка лицевой стороны …...полированная, подготов-

ленная под эпитаксию;

Обработка обратной стороны………………...…...по заказу;

TTV, мкм …………………….…………………...…. < 7;

Bow, мкм ………………………...……………...…….< 10;

Упаковка ……………………... индивидуальный контейнер

в инертной атмосфере.

Рециклинг пластин арсенида галлия GaAs

Существует целый ряд разновидностей брака поверхности пластин арсенида галлия, образующегося на различных стадиях изготовления полупроводниковых приборов. При проведении процессов эпитаксии, фотолитографии, металлизации и других часть пластин отбраковывается и изымается из технологического процесса. На поверхности таких пластин находятся слои эпитаксиальных плёнок, фоторезиста, металла.

Разработана технология восстановления пластин А3В5, реализуемая на собственном производственном участке. В рамках технологического процесса пластины сортируются по видам дефектов, глубине нарушений, толщине пластин. Затем бракованные пластины арсенида галлия проходят очистку и химическую обработку поверхности.

В дальнейшем происходит удаление нарушенных слоёв химико-механической полировкой производится предэпитаксиальная обработка поверхности и пластины упаковываются в индивидуальные контейнеры в среде инертного газа.

После этого пластины могут повторно использоваться в процессах эпитаксиального наращивания.

Изготовления и рециклинг пластин GaAs и других А3В5 материалов

Дата объявления22.01.2017

Похожие бесплатные объявления на сайте:

Рейтинг Досок Объявлений Rambler's Top100 © 2017 Доски.ру